產品中心-TAIWAN GOOSEMI SEMICONDUCTOR 臺灣矽谷半導體有限公司-半導體|分立器件|MOSFET|場效應管

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Type
Package
- 全部
- DPAK/TO-252
- TO-220
- TO-263
- SOT-23-3
- SOT-23-6
- IPAK/TO-251
- SOP-8
- TO-247
- TO-3P
- TO-252-4
- DFN3*3-8
- DFN5*6-8
- TO-220F
- SOT-223
ESD Diode
- 全部
- YES
- NO
VDS (V)
- 全部
- -100
- -60
- -55
- -40
- -30
- -20
- 20
- 30
- 40
- 50
- 60
- 68
- 71
- 75
- 80
- 85
- 100
- 150
- 200
- 400
- 500
- 600
- 650
- 800
- 900
- 700
VGS ±(V)
- 全部
- 8
- 10
- 12
- 20
- 25
- 30
ID(A)
- 全部
- -70
- -57
- -45
- -40
- -35
- -25
- -23
- -20
- -18
- -17
- -15
- -13
- -12
- -11.5
- -10
- -7
- -6
- -5.1
- -5
- -4.2
- -4.1
- -4
- -3.5
- -3
- -2.8
- -2.6
- -2
- -0.1
- 0.115
VGS(th) (max V)
- 全部
- -4
- -3.5
- -3
- -2.5
- -2.2
- -2
- -1.2
- -1
- -1
- 0.8
- 0.9
- 1
- 1.2
- 1.4
- 1.5
- 1.6
- 2
- 2.2
- 2.5
- 3
- 3.7
- 4
- 4.5
- 5
RDS(ON) @ 10V Typ. (m?)
- 全部
- 3
- 3.5
- 4
- 4.5
- 4.7
- 5
- 6
- 6.5
- 6.6
- 6.8
- 7
- 7.2
- 8
- 8.5
- 9
- 10
- 11
- 11.5
- 12
- 13
- 14
- 15
- 17
- 18
- 20
- 24
- 25
- 28
- 30
RDS(ON) @ 4.5V Typ. (m?)
- 全部
- 4
- 6
- 7
- 8
- 9
- 13.5
- 14
- 15
- 16
- 25
- 26
- 27
- 28
- 34
- 42
- 45
- 47
- 50
- 52
- 55
- 60
- 65
- 73
- 80
- 87
- 88
- 90
- 100
- 105
Qg (nC)
- 全部
- 3.3
- 3.6
- 4
- 4.1
- 4.9
- 5
- 5.2
- 5.4
- 5.85
- 6
- 6.8
- 7
- 7.7
- 8
- 8.2
- 8.5
- 9
- 9.2
- 9.3
- 9.5
- 9.6
- 9.8
- 10
- 11
- 11.1
- 11.2
- 11.6
- 11.8
- 12
Ciss(pF)
- 全部
- 38
- 120
- 150
- 152
- 156
- 210
- 230
- 247
- 255
- 270
- 300
- 302
- 330
- 340
- 345
- 400
- 405
- 420
- 425
- 435
- 452
- 470
- 480
- 500
- 511
- 515
- 520
- 525
- 530

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Part number
Type
Package
ESD Diode
VDS (V)
VGS ±(V)
ID(A)
VGS(th) (max V)
RDS(ON) @ 10V Typ. (m?)
RDS(ON) @ 4.5V Typ. (m?)
RDS(ON) @ 1.8V Typ. (m?)
RDS(ON) @ 2.5V Typ. (m?)
Qg (nC)
Qgs (nC)
Qgd (nC)
Ciss(pF)
Coss(pF)
Crss(pF)

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